IGBT 在線性工作區(qū)域IC與UGE 之間的關(guān)系，即集電極電流通過轉(zhuǎn)移電導(dǎo)與柵射極間電壓相耦合。它與電力MOSFET 的輸出特性相似，當(dāng)uGE小于開啟電壓uGE（th）時，IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)uGE略大于開啟電壓uGE（th）時，IC與UGE 為非線性關(guān)系，uGE 在大于開啟電壓uGE（th）的大部分范圍內(nèi)，可以認為IC與UGE 為線性關(guān)系。其輸出電流IC 由UGE 控制：UGE 越大，IC 越大，UGE 的最大值由IC允許的最大值ICM限定，UGE的取值一般為15 一20v 。在工作在正向阻斷區(qū)（阻斷狀態(tài)）時，UGE 一般加一個-5V的反向電壓。
IC與UGE 之間的關(guān)系，它與GTR 的輸出特性相似，但其控制參數(shù)為UGE 。IGBT 輸出特性分為三個區(qū)，即正向阻斷區(qū)、有源區(qū)和飽和區(qū)，在電力電子電路中，IGBT 工作在開關(guān)狀態(tài)，即它在正向阻斷區(qū)和飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。
IGBT 的電流密度較大，通態(tài)電壓的溫度系數(shù)在小電流時為負，在大電流時為正，通態(tài)飽和壓降UGE（sat）為2 一4V 。
當(dāng)UGE 大于UGE（th）時，IGBT 處于通態(tài)（on ) ，當(dāng)UGE小于uGE（th）時，IGBT 處于斷態(tài)( off ) ，此時僅有極小的漏電流存在。