IGBT 是一個三端器件，具有柵極G 、集電極C 和發(fā)射極E , 目前多數(shù)的IGBT 為N 溝道型。
IGBT 是由雙極型晶體管與MOSFET 組成的達林頓結(jié)構(gòu)，相當于一個由MOSFET 驅(qū)動的厚基區(qū)PNP 晶體管，圖中的Rdr 是晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。IGBT 是一種場控器件，其開通與關(guān)斷是由柵極和發(fā)射極間的電壓uGE 決定的，當uGE 為正且大于開啟電壓uGE ( th ）時，MOSFET 內(nèi)形成溝道，并為晶體管提供基極電流，進而使IGBT 導(dǎo)通。當uGE施加反向電壓或不加電壓時，MOSFET 內(nèi)溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，使得IGBT 關(guān)斷。
由于制作工藝不同，常導(dǎo)致器件具有不同的性能。按照IG - BT 器件C 、E 間擊穿時PN 結(jié)耗盡層是否穿透高阻N-基區(qū)層為判斷依據(jù)，可將IGBT 分為兩大類：耗盡層穿透高阻N-基區(qū)的稱為穿通型（Punch Through , PT ) IGBT ；沒有穿透高阻N-基區(qū)的稱為非穿通型（Non Punch Through , NPT ) IGBT 。PT-IGBT 采用外延法工藝，在制造更高電壓的器件時，其技術(shù)復(fù)雜、成本非常高；NPT-IGBT 采用同質(zhì)單晶硅和擴散工藝，可以制造出更高開關(guān)速度、低拖尾電流、正溫度系數(shù)，且有更高抗電熱沖擊能力的IGBT 。目前西門子、東芝、IR 、富士、摩托羅拉等公司已推出用NPT 工藝制造的IGBT 。
IGBT 模塊常用的電路結(jié)構(gòu)有多種，在高壓變頻器中用得最多的為二合一封裝或單一模塊封裝。