絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Biplor Transistor 一IG-BT ）結(jié)構(gòu)相當(dāng)于一個(gè)由MOSFET 驅(qū)動(dòng)的GTR ，因而它綜合了GTR 和MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)，即它既有MOSFET 輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單和驅(qū)動(dòng)功率小的優(yōu)點(diǎn)，也具有GTR 通態(tài)壓降低、通流能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。因此，IGBT 在1986 年投入市場(chǎng)后，迅速取代了GTR 成為當(dāng)今在變頻器中一種主流器件。目前，3 . 3kv / 1 . 2kA 功率等級(jí)的IGBT 應(yīng)用于三電平變頻器中不需要器件串聯(lián)即可實(shí)現(xiàn)2 . 3kV 的電壓輸出；6 . 5kV / 0 . 6kA 的IGBT 也正走向商品化；同時(shí)最高硬開關(guān)頻率達(dá)到150kHz 的NPT 一IGBT 也已商品化?？梢灶A(yù)計(jì)，隨著IGBT 的容量及開關(guān)頻率的不斷增加，高壓變頻器的主電路結(jié)構(gòu)將會(huì)更簡(jiǎn)化，功率等級(jí)將進(jìn)一步提高，輸出波形將更加完美。