在實(shí)際應(yīng)用中，以集電極Ic 的動(dòng)態(tài)波形來確定IGBT 的開關(guān)時(shí)間。
1 ．開通過程
從IGBT 的簡圖來看，IGBT 實(shí)質(zhì)上可以認(rèn)為是MOSFET 驅(qū)動(dòng)的GTR ，其開通過程大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的，其余部分時(shí)間作為MOSFET 和GTR 共同運(yùn)行。集電極電流ic 的開通時(shí)間ton 由開通延遲時(shí)間td（on）和電流上升時(shí)間tri組成。集射極之間的電壓uGE下降過程要比電流延遲一段時(shí)間，分為tfv1和tfv2 兩段，這是由于內(nèi)部MOSFET 和GTR 控制關(guān)系而出現(xiàn)的現(xiàn)象。
2 ．關(guān)斷過程
當(dāng)施加反向控制電壓時(shí)，集電極電流ic下降也要延遲一段時(shí)間td（off ) ，其下降過程包括兩段時(shí)間tfi1和tfi2，其中tfi1對應(yīng)于IGBT 內(nèi)部的MOSFET 的關(guān)斷過程，該段時(shí)間比較短暫；tfi2 對應(yīng)于IGBT 內(nèi)部的PNP 晶體管的關(guān)斷過程，在此時(shí)間內(nèi)，GTR 由于不承受反壓，故其基區(qū)內(nèi)的少子復(fù)合比較緩慢，造成集電極電流ic 下降較慢。