晶閘管的伏安特性包括位于第一象限的正向特性和位于第三象限的反向特性。晶閘管的正向特性分為阻斷狀態(tài)和導通狀態(tài)。在門極電流為零的情況下，逐漸增大晶閘管的正向陽極電壓，這時晶閘管呈現阻斷狀態(tài)，此時只有極小的漏電流流過。當正向電壓逐漸增加到轉折電壓UBO時，漏電流劇增，特性從高阻區(qū)（阻斷狀態(tài)）經負阻區(qū)（虛線）到達低阻區(qū)（導通狀態(tài)）。導通后的晶閘管特性和二極管的正向特性相仿，即通過較大的電流，晶閘管本身的壓降也很小。晶閘管導通后，如逐步減小陽極電流，當IA小到等于維持電流IH時，晶閘管由導通變?yōu)樽钄?。晶閘管的反向特性是指晶閘管反向陽極電壓與陽極漏電流的伏安特性，與二極管的反向特性類似。晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)時，只有極小的反向漏電流通過。當反向電壓超過一定限度達到擊穿電壓時，外電路如無限制措施，則反向漏電流急劇增大，導致晶閘管發(fā)熱損壞。

從晶閘管的結構圖可以看出，門極和陰極之間是一個PN 結，其伏安特性稱為門極伏安特性，但實際的門極伏安特性分散性很大。為了保證可靠、安全地觸發(fā)，門極觸發(fā)電路所提供的觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流和功率都應限制在晶閘管門極伏安特性曲線中的可靠觸發(fā)區(qū)內。